Name: SSD 2TB M.2 80mm PCI-e 5.0 x4 NVMe 2.0, V-NAND TLC, Samsung 9100 PRO (MZ-VAP2T0BW)
Brand: SAMSUNG
Price: 339.99 EUR
Availability: InStock

Tehnične podrobnosti

Vodilo	PCI-e
Format diska	M.2
Vrsta diska	Vgradni
Kapaciteta diska	2TB
Tip diska	SSD

Opis izdelka

SSD disk SSD 2TB M.2 80mm PCI-e 5.0 x4 NVMe 2.0, V-NAND TLC, Samsung 9100 PRO (MZ-VAP2T0BW) ponuja odlično možnost za nadgradnjo, saj opazno poveča zmogljivost sistema. Zagotavlja nizke čase zagona operacijskega sistema ter programske opreme, hkrati pa omogoča hiter prenos podatkov. Napredna arhitektura, na kateri je disk osnovan, poskrbi za konstante hitrosti in je posebej uporabna pri nalogah, ki zahtevajo hitro obdelavo informacij. Njegova kapaciteta znaša 2TB, osnovan pa je na vodilu PCI-e.

SSD diski (Solid-State Drive) so najhitrešji diski za osebni in prenosni računalnik. Namesto magnetnih plošč uporabljajo bliskovni pomnilnik. S tem je disk mnogo hitrejši, manjši, neslišen, odporen na zunanje dejavnike in seveda porabi bistveno manj energije. SSD diski so kompatibilni z večino priključkov (SATA, SAS, PCI-E ...).

Če želite maksimizirati delovanje ki ga omogoča vaš prenosni računalnik izberite SSD disk, ki ima najvišjo hitrost branja in zapisovanja.

Podroben opis

PCIe 5.0 HITROSTI

Pohitrite svoje delo in igre s PCIe 5.0 hitrostmi branja in pisanja. Velike datoteke se prenesejo, kopirajo in premikajo kar 2x hitreje kot na Samsung 990 Pro.

SPOZNAJTE HITROST

Samsung 9100 Pro dosega hitrosti naključnega branja do 2.200* kIOPS in pisanja do 2600* kIOPS. To poskrbi za hitro ustvarjanje z umetno inteligenco, nalaganje iger, hitro večopravilnost in preprosto ustvarjanje ali oblikovanje. ^{(*odvisno od kapacitete)}

ŠIROKA KOMPATIBILNOST

9100 Pro je kompatibilen tako s prenosniki kot stacionarnimi računalniki in je na voljo v različnih kapacitetah. Odličen je za uporabo v video produkciji, oblikovanju in se odlično izkaže pri igranju iger.

HLADEN IN HITER

Disk je opremljen s 5nm kontrolerjem, ki je 49% učinkovitejši pri porabi energije kot 990 Pro. Optimizirano je tudi hlajenje, ki poskrbi za konsistentno delovanje brez upočasnitev.

Specifikacije

Vodilo: PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0
Oblika: M.2 2280
NAND: Samsung V NAND TLC (V8)
Kontroler: Samsung
Cache pomnilnik: 2 GB LPDDR4X
Kapaciteta: 2 TB
Hitrost sekvenčnega branja: 14.700 MB/s
Hitrost sekvenčnega pisanja: 13.400 MB/s
Hitrost naključnega branja (IOPS, QD32): 1850K
Hitrost naključnega pisanja (IOPS, QD32): 2600K
Napajanje:
- Aktivno: 8.1W / 7.9 W
- V mirovanju: 4.8 mW / 4.0 mW
Inteligentni TurboWrite 2.0: 226GB
Enkripcija podatkov: Class 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)
TBW: 1200